金融界2023年12月6日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法“，公开号CN117174648A，申请日期为2023年7月。

　　专利摘要显示，实施例包括围绕嵌入式集成电路管芯的裂缝停止器结构及其形成。裂缝停止器结构可以包括由填充层分隔开的多个层。裂缝停止器的层可以包括多个子层，子层中的一些提供粘合、硬度缓冲和用于从裂缝停止器结构的一个层过渡至裂缝停止器结构的另一层的材料梯度。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

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